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大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域 浜屋研究室
〒560-8531 大阪府豊中市待兼山町1-3 E303-05
主要実験装置:

       
 分子線エピタキシー(MBE)装置  分子線エピタキシー(MBE)装置  原子層堆積(ALD)装置  電子線蒸着装置
・到達真空度:10-9 Torr以下
・マニピュレータ温度:~1000℃
・到達真空度:10-8 Pa以下
・マニピュレータ温度:~1000℃
・到達真空度:~10-5 Pa
・到達真空度:~10-5 Pa
・蒸着元素:Au, Ti, Ge, Co, Cu, Pt等
 Si, Ge基板の上にFe3Si, Co2FeSi等の高品質ホイスラー合金を作製します。  Si, Ge基板の上にGeやSn等を蒸着します。 高品質なAl2O3やHfO3などの絶縁膜を作製します。 電極に用いるAu, Ti等の金属を蒸着します。
       
 RFスパッタ装置 抵抗加熱蒸着装置  電気炉 ドライエッチング装置、
二次イオン質量分析計
・到達真空度:10-7 Torr
・スパッタ電源:RF
・到達真空度:10-5 Pa 長時間の加熱処理に使用します。
・イオン化ガス:Ar, CF4, O2
・加速電圧:100~3000V
 SiO2, Si3N4等の絶縁膜を堆積します。  Cu等の金属を堆積します。 金属、半導体、絶縁膜の薄膜をエッチングします。
       
 フォトリソグラフィー装置 電子線描画装置 
(大阪大学大学院基礎工学研究科附属未来研究推進センター所有)
 スクライバー  微分干渉顕微鏡
素子のパターニングをします。
素子のパターニングをします。 試料を切断するのに使用します。 試料の表面や作製した素子を観察するのに使用します。
   
       
 ワイヤーボンダー 物理特性測定システム(PPMS)   磁気抵抗効果測定装置 磁気抵抗効果測定装置
AuやAlワイヤーで素子を配線するのに使用します。
・測定温度:1.9~400 K
・最大印加磁場:9 T
・測定温度:77~320 K
・最大印加磁場:0.6 T

・測定温度:室温
・最大印加磁場:0.6 T
作製した試料の磁気特性や磁気抵抗などを測定する装置です。 作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。  作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。
   
磁気抵抗効果測定装置  高速熱処理(RTA)装置
・測定温度:4.2~320 K
・最大印加磁場:~1 T
試料を急速加熱する装置です。
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。

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